3xxx series

  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <0,5µV bis <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich von -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <0,5µV bis <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich von -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Vergossenes Gehäuse
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <3µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <3µV und <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Coto Technology
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <0,5µV bis <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich von -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <0,5µV bis <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich von -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Vergossenes Gehäuse
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <3µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,5A
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich von <3µV und <5µV
  • Epoxidbeschichtetes Stahlgehäuse bietet magnetische Abschirmung
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C
  • Oberflächenmontierte Reed-Relais mit niedriger thermischer EMF
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012Ω
  • Schaltstrom 0,25A
  • Elektrostatische Abschirmung als Standard zur Reduzierung der kapazitiven Kopplung
  • Niedriger thermischer EMF-Bereich zwischen <0,5µV und <5µV
  • Temperaturbereich -20°C bis +85°C