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Über InterFET

Innovativer Hersteller von Ultrapräzisions-Drahtwiderständen und Prüfinstrumenten, die als Laborstandards und für die Überwachung kritischer Prozesse eingesetzt werden.

Die ultrapräzisen Drahtwiderstände von General Resistance werden seit über 50 Jahren von Herstellern von Präzisionsmessgeräten auf der ganzen Welt verwendet.

Sie kommen immer dann zum Einsatz, wenn der Präzisionsbetrieb einer Schaltung über einen längeren Zeitraum aufrechterhalten werden soll.

Diese Widerstände bieten eine höhere Widerstandsstabilität und eine höhere anfängliche Kalibriergenauigkeit als jede andere Widerstandsklasse. Außerdem sind sie sehr rauscharm und zeichnen sich durch niedrigere Temperaturkoeffizienten aus.

Die offizielle Website des Unternehmens finden Sie hier: www.primetechnology.com

Dienstleistungen

SMP4856

InterFET SMP4856 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 18pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4867

InterFET SMP4867 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4867A

InterFET SMP4867A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMPU308

InterFET SMPU308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMPU309

InterFET SMPU309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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