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Über InterFET

Innovativer Hersteller von Ultrapräzisions-Drahtwiderständen und Prüfinstrumenten, die als Laborstandards und für die Überwachung kritischer Prozesse eingesetzt werden.

Die ultrapräzisen Drahtwiderstände von General Resistance werden seit über 50 Jahren von Herstellern von Präzisionsmessgeräten auf der ganzen Welt verwendet.

Sie kommen immer dann zum Einsatz, wenn der Präzisionsbetrieb einer Schaltung über einen längeren Zeitraum aufrechterhalten werden soll.

Diese Widerstände bieten eine höhere Widerstandsstabilität und eine höhere anfängliche Kalibriergenauigkeit als jede andere Widerstandsklasse. Außerdem sind sie sehr rauscharm und zeichnen sich durch niedrigere Temperaturkoeffizienten aus.

Die offizielle Website des Unternehmens finden Sie hier: www.primetechnology.com

Dienstleistungen

J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J204

InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J230

InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

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P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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SMP152

InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP3971

InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4092

InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4117

InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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