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Über InterFET

Innovativer Hersteller von Ultrapräzisions-Drahtwiderständen und Prüfinstrumenten, die als Laborstandards und für die Überwachung kritischer Prozesse eingesetzt werden.

Die ultrapräzisen Drahtwiderstände von General Resistance werden seit über 50 Jahren von Herstellern von Präzisionsmessgeräten auf der ganzen Welt verwendet.

Sie kommen immer dann zum Einsatz, wenn der Präzisionsbetrieb einer Schaltung über einen längeren Zeitraum aufrechterhalten werden soll.

Diese Widerstände bieten eine höhere Widerstandsstabilität und eine höhere anfängliche Kalibriergenauigkeit als jede andere Widerstandsklasse. Außerdem sind sie sehr rauscharm und zeichnen sich durch niedrigere Temperaturkoeffizienten aus.

Die offizielle Website des Unternehmens finden Sie hier: www.primetechnology.com

Dienstleistungen

IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

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IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

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IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J174

InterFET J174 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J175

InterFET J175 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J177

InterFET J177 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J201

InterFET J201 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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