Erneuerbare Energien
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,5% bis ±20%
- TCR von ±50 ppm/°C, ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 0,2 W
- Nennspannung von 600 V
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 0,33 W
- Nennspannung von 1,5 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 1 W
- Nennspannung von 2 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 2 W
- Nennspannung von 3 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 2 W
- Nennspannung von 3,5 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 2 W
- Nennspannung von 4 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
- TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
- Nennleistung von 2 W
- Nennspannung von 5 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 90 MΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±1% bis ±20%
- TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennspannung von 3 kV bis 6 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 120 MΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±1% bis ±20%
- TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennspannung von 4 kV bis 10 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 85 MΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±1 % bis ±20 %
- TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennspannung von 4 kV bis 14 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 150 MΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±1% bis ±20%
- TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennspannung von 6 kV bis 16 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
- Widerstandsbereich von 90 MΩ bis 50 GΩ
- Toleranzen von ±1% bis ±20%
- TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
- Nennspannung von 6 kV bis 20 kV
- Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- Metallummantelter Dickschichtwiderstand
- Widerstandsbereich von 1kΩ bis 2MΩ
- Max. Nennleistung von 15W
- Zementierter Widerstand im Aluminiumgehäuse
- Kurzzeitige Überlast von 2 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
- Hohe Stabilität bei konventionellen Nennleistungen
- Temperaturbereich von -55°C bis zu +250°C
- Metallummantelter Dickschichtwiderstand
- Widerstandsbereich von 1kΩ bis 2MΩ
- Max. Nennleistung von 25W
- Zementierter Widerstand im Aluminiumgehäuse
- Kurzzeitige Überlast von 2 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
- Hohe Stabilität bei konventionellen Nennleistungen
- Temperaturbereich von -55°C bis zu +250°C
- Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
- Induktiver Widerstand zwischen 0,1Ω und 270Ω
- Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1Ω und 56Ω
- Leistungsfähigkeit von 60W
- Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
- Kurzzeitige Überlast von 5 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
- Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
- Induktiver Widerstand zwischen 0,1Ω und 910Ω
- Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1Ω und 110Ω
- Leistungsfähigkeit von 80W
- Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
- Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden